目(mu)前(qian)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝生(sheng)產涂(tu)層(ceng)(ceng)技(ji)術已(yi)被大多數廠家使用就是在普通石(shi)(shi)英(ying)砂溶(rong)制(zhi)的坩(gan)(gan)堝表面涂(tu)上一層(ceng)(ceng)高純度(du)石(shi)(shi)英(ying)砂使其形成(cheng)致(zhi)密(mi)(mi)層(ceng)(ceng)，其致(zhi)密(mi)(mi)層(ceng)(ceng)能(neng)阻止(zhi)單(dan)晶硅高溫拉制(zhi)過程中硅與(yu)石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝反應提(ti)高成(cheng)晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高純石英(ying)砂(sha)→高純石墨(mo)模(mo)具→真空(kong)裝(zhuang)(zhuang)料(liao)成(cheng)型→真空(kong)電(dian)弧熔制→自然(ran)冷卻脫(tuo)模(mo)→石英(ying)坩(gan)(gan)堝初步(bu)檢(jian)測→冷加工噴砂(sha)、切斷(duan)、倒角→石英(ying)坩(gan)(gan)堝二(er)次檢(jian)測→超(chao)凈(jing)清洗、超(chao)聲、高壓噴淋、自動(dong)烘干→石英(ying)坩(gan)(gan)堝三次檢(jian)驗→真空(kong)包裝(zhuang)(zhuang)→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)堝(guo)可在1450度以下使用，分透明和(he)不透明兩種。用電弧法制的半透明石英坩(gan)堝(guo)是拉制大直(zhi)徑(jing)單晶硅(gui)，發展(zhan)大規(gui)模集成(cheng)電路必不可少的基礎材料。

當今，世(shi)界(jie)半導體工業發達已用(yong)此坩(gan)堝取(qu)代(dai)了小的(de)透明石英坩(gan)堝。具有高(gao)純度、耐溫性(xing)強(qiang)、尺寸(cun)大精度高(gao)、保溫性(xing)好(hao)、節約能(neng)源、質量穩定(ding)等優點。

　　2、不能和(he)HF接(jie)觸，高溫(wen)時，較容(rong)易(yi)易(yi)和(he)苛性(xing)堿(jian)及堿(jian)金(jin)屬的碳酸鹽作(zuo)用。

　　3、石英坩(gan)堝(guo)適于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔(rong)劑(ji)熔(rong)融樣品(pin)和用Na2S207（先在212度烘(hong)干(gan)）作(zuo)熔(rong)劑(ji)處理樣品(pin)。

　　4、石(shi)英質脆，易破，使用時要注(zhu)意。

　　5、除(chu)HF外，普通(tong)稀無機(ji)酸可用作清洗(xi)液。