目前石(shi)英坩(gan)堝(guo)生產(chan)涂(tu)層(ceng)(ceng)技(ji)術已被大(da)多(duo)數(shu)廠(chang)家(jia)使(shi)用(yong)就是在普通石(shi)英砂(sha)溶制的坩(gan)堝(guo)表面涂(tu)上(shang)一層(ceng)(ceng)高(gao)純度石(shi)英砂(sha)使(shi)其形成致(zhi)密(mi)層(ceng)(ceng)，其致(zhi)密(mi)層(ceng)(ceng)能阻(zu)止單晶硅高(gao)溫拉制過程中硅與石(shi)英坩(gan)堝(guo)反應提高(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高(gao)純石(shi)(shi)英砂(sha)→高(gao)純石(shi)(shi)墨模具(ju)→真(zhen)空(kong)裝料成型(xing)→真(zhen)空(kong)電(dian)弧熔(rong)制→自然冷卻脫模→石(shi)(shi)英坩(gan)堝初(chu)步檢測(ce)→冷加(jia)工噴砂(sha)、切斷(duan)、倒角→石(shi)(shi)英坩(gan)堝二(er)次檢測(ce)→超凈(jing)清洗、超聲、高(gao)壓噴淋、自動烘干→石(shi)(shi)英坩(gan)堝三次檢驗(yan)→真(zhen)空(kong)包裝→成品入(ru)庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝可(ke)在(zai)1450度(du)以下(xia)使用(yong)，分透明(ming)和不透明(ming)兩種。用(yong)電(dian)弧(hu)法(fa)制的(de)半(ban)透明(ming)石(shi)英坩堝是拉制大直(zhi)徑(jing)單晶硅，發(fa)展大規模集(ji)成電(dian)路必不可(ke)少的(de)基礎材料。

當今，世界半導體工業發達已用此(ci)坩堝取(qu)代了小的(de)透明石英坩堝。具有高(gao)純(chun)度、耐溫性強、尺寸大精度高(gao)、保溫性好、節(jie)約能(neng)源、質量穩定等(deng)優點。

　　2、不能和HF接觸(chu)，高溫(wen)時，較容易易和苛性堿(jian)(jian)及(ji)堿(jian)(jian)金屬(shu)的碳(tan)酸鹽作用。

　　3、石英坩(gan)堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑(ji)熔融(rong)樣(yang)品和用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘干(gan)）作(zuo)熔劑(ji)處理(li)樣(yang)品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普通稀無(wu)機酸可用作清洗液。