目(mu)前石(shi)英坩(gan)堝生產涂層技術已(yi)被(bei)大(da)多數(shu)廠家(jia)使用就是在普通石(shi)英砂(sha)溶制的坩(gan)堝表面(mian)涂上一層高(gao)純度石(shi)英砂(sha)使其(qi)形成致(zhi)(zhi)密(mi)(mi)層，其(qi)致(zhi)(zhi)密(mi)(mi)層能(neng)阻止單晶(jing)硅高(gao)溫拉制過(guo)程中硅與石(shi)英坩(gan)堝反應提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明(ming)高(gao)(gao)純石(shi)(shi)英砂→高(gao)(gao)純石(shi)(shi)墨模具(ju)→真(zhen)空裝(zhuang)料(liao)成(cheng)型→真(zhen)空電弧熔制→自然冷卻(que)脫模→石(shi)(shi)英坩堝初步檢(jian)測→冷加(jia)工噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英坩堝二次檢(jian)測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高(gao)(gao)壓噴(pen)淋、自動(dong)烘干→石(shi)(shi)英坩堝三次檢(jian)驗→真(zhen)空包(bao)裝(zhuang)→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩(gan)堝可在1450度以下使用，分透(tou)(tou)明(ming)和不透(tou)(tou)明(ming)兩種。用電弧法制(zhi)的半(ban)透(tou)(tou)明(ming)石(shi)英坩(gan)堝是拉制(zhi)大直(zhi)徑(jing)單(dan)晶(jing)硅(gui)，發展大規模集成電路必不可少的基礎材(cai)料。

當今(jin)，世界半導體(ti)工(gong)業發(fa)達已用此(ci)坩堝取代(dai)了小(xiao)的透明石英坩堝。具有高純度、耐溫性(xing)強、尺(chi)寸大(da)精度高、保溫性(xing)好(hao)、節約(yue)能(neng)源、質量穩定等優點(dian)。

　　2、不能(neng)和HF接觸(chu)，高溫時，較容易易和苛性(xing)堿及堿金屬(shu)的碳(tan)酸(suan)鹽(yan)作用。

　　3、石英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融樣品和用Na2S207（先在212度烘干）作熔(rong)劑處理樣品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機(ji)酸可用作清洗液。