目(mu)前(qian)石英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)生產涂層(ceng)技(ji)術已被大多數廠家使用(yong)就是在(zai)普通石英(ying)(ying)砂溶制(zhi)的坩(gan)堝(guo)(guo)表面涂上一層(ceng)高(gao)純度(du)石英(ying)(ying)砂使其形成致(zhi)密(mi)層(ceng)，其致(zhi)密(mi)層(ceng)能阻(zu)止單晶硅高(gao)溫拉制(zhi)過程(cheng)中硅與石英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)(guo)反應提高(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)英(ying)(ying)(ying)砂(sha)→高純(chun)石(shi)墨(mo)模(mo)(mo)具→真(zhen)空(kong)(kong)裝料成型→真(zhen)空(kong)(kong)電弧熔制→自然冷(leng)(leng)卻脫模(mo)(mo)→石(shi)英(ying)(ying)(ying)坩堝(guo)初步檢測→冷(leng)(leng)加工噴(pen)砂(sha)、切斷、倒角→石(shi)英(ying)(ying)(ying)坩堝(guo)二次檢測→超凈清洗(xi)、超聲、高壓(ya)噴(pen)淋、自動烘干→石(shi)英(ying)(ying)(ying)坩堝(guo)三次檢驗→真(zhen)空(kong)(kong)包裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可(ke)在(zai)1450度以下(xia)使用，分透(tou)明(ming)和(he)不透(tou)明(ming)兩種。用電弧法制的半透(tou)明(ming)石英坩堝是拉(la)制大直徑單(dan)晶硅，發展大規模集成電路(lu)必不可(ke)少的基礎(chu)材(cai)料。

當(dang)今，世界半導體(ti)工業(ye)發達已(yi)用此坩(gan)(gan)堝(guo)取代了小的透明(ming)石英坩(gan)(gan)堝(guo)。具有高(gao)純度(du)(du)、耐(nai)溫(wen)性強、尺寸大精度(du)(du)高(gao)、保溫(wen)性好、節約能源、質量穩定等優點。

　　2、不能和HF接(jie)觸(chu)，高溫(wen)時，較容易(yi)易(yi)和苛性堿及堿金屬的碳(tan)酸(suan)鹽作用(yong)。

　　3、石英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑(ji)熔融(rong)樣品和(he)用Na2S207（先在212度烘干）作(zuo)熔劑(ji)處理(li)樣品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用(yong)作清(qing)洗液。