目(mu)前石(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)生產涂層(ceng)技術已被(bei)大多數廠家(jia)使用就(jiu)是在(zai)普通石(shi)英(ying)砂(sha)溶制的坩堝(guo)(guo)表面(mian)涂上一層(ceng)高純度(du)石(shi)英(ying)砂(sha)使其形成致密層(ceng)，其致密層(ceng)能(neng)阻止單(dan)晶(jing)硅高溫拉制過(guo)程中硅與石(shi)英(ying)坩堝(guo)(guo)反應提高成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高(gao)(gao)純石(shi)(shi)英(ying)(ying)砂→高(gao)(gao)純石(shi)(shi)墨模(mo)具(ju)→真空裝(zhuang)料成型(xing)→真空電(dian)弧(hu)熔制→自然(ran)冷(leng)卻脫(tuo)模(mo)→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)(gan)堝初步檢(jian)(jian)測→冷(leng)加工噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)(gan)堝二次檢(jian)(jian)測→超凈清洗、超聲、高(gao)(gao)壓噴(pen)淋、自動烘干→石(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)(gan)堝三次檢(jian)(jian)驗(yan)→真空包裝(zhuang)→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝可(ke)在1450度以下使用，分透明(ming)和不(bu)透明(ming)兩(liang)種。用電弧法制(zhi)的(de)半透明(ming)石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝是拉制(zhi)大(da)直徑單晶硅，發(fa)展大(da)規模集成電路必不(bu)可(ke)少的(de)基礎材(cai)料。

當今，世(shi)界半(ban)導體工業發達已(yi)用(yong)此坩堝取代了小的(de)透明石英坩堝。具有高純度、耐溫性(xing)強(qiang)、尺寸大(da)精(jing)度高、保溫性(xing)好(hao)、節約能源、質(zhi)量穩(wen)定等(deng)優點。

　　2、不能和HF接觸(chu)，高溫時(shi)，較容(rong)易易和苛性堿(jian)及堿(jian)金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝(guo)適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣品和用(yong)Na2S207（先在212度烘干）作(zuo)熔劑處理樣品。

　　4、石英(ying)質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普通(tong)稀無機酸可用作清洗液。