目前(qian)石(shi)英坩堝生產涂層(ceng)(ceng)技術已被大多(duo)數廠家使用(yong)就是在普通石(shi)英砂(sha)溶(rong)制的坩堝表(biao)面涂上一層(ceng)(ceng)高純度石(shi)英砂(sha)使其(qi)形成致密(mi)層(ceng)(ceng)，其(qi)致密(mi)層(ceng)(ceng)能阻止單晶硅(gui)高溫拉制過程中硅(gui)與石(shi)英坩堝反(fan)應(ying)提高成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高純石(shi)(shi)(shi)英(ying)(ying)砂(sha)(sha)→高純石(shi)(shi)(shi)墨(mo)模具(ju)→真(zhen)空裝料成型→真(zhen)空電弧熔(rong)制→自(zi)(zi)然(ran)冷(leng)卻脫(tuo)模→石(shi)(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)初步檢測→冷(leng)加(jia)工噴(pen)砂(sha)(sha)、切(qie)斷、倒角→石(shi)(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)二次檢測→超凈清洗、超聲、高壓噴(pen)淋、自(zi)(zi)動烘干→石(shi)(shi)(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)三次檢驗→真(zhen)空包裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)堝(guo)可在1450度以下使(shi)用，分透(tou)明(ming)(ming)和不(bu)(bu)透(tou)明(ming)(ming)兩種(zhong)。用電弧法制的半透(tou)明(ming)(ming)石英坩(gan)堝(guo)是拉制大直徑單(dan)晶硅，發展大規模集成(cheng)電路必不(bu)(bu)可少的基礎材料。

當今(jin)，世界半導體工(gong)業發達已(yi)用(yong)此坩堝取(qu)代了小的透明石(shi)英坩堝。具(ju)有高純(chun)度、耐溫(wen)性(xing)(xing)強、尺寸大(da)精度高、保溫(wen)性(xing)(xing)好、節(jie)約能源、質(zhi)量穩(wen)定等優點(dian)。

　　2、不能和(he)HF接觸，高溫時，較容易易和(he)苛性(xing)堿及堿金(jin)屬的碳(tan)酸鹽(yan)作用(yong)。

　　3、石英(ying)坩堝適于(yu)用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔(rong)劑熔(rong)融樣品(pin)和(he)用(yong)Na2S207（先在212度烘(hong)干(gan)）作(zuo)熔(rong)劑處(chu)理樣品(pin)。

　　4、石英質脆，易破(po)，使用時要注(zhu)意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機酸(suan)可用作清洗液。