目前石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)生產涂層技術已(yi)被大多數廠(chang)家使(shi)(shi)用就(jiu)是(shi)在普通(tong)石(shi)英(ying)(ying)砂溶制(zhi)的坩堝(guo)表(biao)面涂上一層高(gao)純度石(shi)英(ying)(ying)砂使(shi)(shi)其(qi)形(xing)成致密層，其(qi)致密層能阻止單晶(jing)硅(gui)高(gao)溫拉制(zhi)過程(cheng)中硅(gui)與石(shi)英(ying)(ying)坩堝(guo)反應(ying)提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高(gao)純石(shi)(shi)英(ying)砂→高(gao)純石(shi)(shi)墨模具→真空裝(zhuang)料成型→真空電(dian)弧熔(rong)制(zhi)→自然冷卻脫模→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝初步檢測→冷加工(gong)噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝二次檢測→超凈清洗、超聲、高(gao)壓噴(pen)淋、自動烘干→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝三次檢驗→真空包裝(zhuang)→成品(pin)入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可在1450度以(yi)下使用(yong)，分透(tou)(tou)明(ming)和不(bu)透(tou)(tou)明(ming)兩(liang)種。用(yong)電弧法制的(de)半(ban)透(tou)(tou)明(ming)石英坩堝是拉制大(da)直徑(jing)單晶硅，發展大(da)規模集(ji)成電路必不(bu)可少的(de)基礎材料。

當(dang)今，世界半導體工業發達已用此(ci)坩(gan)堝取代了小的透明(ming)石(shi)英(ying)坩(gan)堝。具有高純(chun)度、耐溫性(xing)強、尺寸大(da)精度高、保溫性(xing)好、節約能源(yuan)、質量穩(wen)定等優點(dian)。

　　2、不能和HF接觸，高溫時，較容易(yi)易(yi)和苛(ke)性堿及堿金(jin)屬(shu)的碳酸鹽作用(yong)。

　　3、石英坩堝(guo)適于用K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣品(pin)和用Na2S207（先(xian)在212度烘干(gan)）作熔劑處理樣品(pin)。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意(yi)。

　　5、除HF外，普通稀(xi)無機酸可用作清洗(xi)液。