目前(qian)石(shi)英坩堝(guo)生產(chan)涂(tu)層(ceng)技術已(yi)被大多數(shu)廠家使用就是在普通石(shi)英砂(sha)溶制(zhi)的坩堝(guo)表面涂(tu)上一層(ceng)高純(chun)度(du)石(shi)英砂(sha)使其形成致密(mi)層(ceng)，其致密(mi)層(ceng)能阻止(zhi)單晶硅高溫拉制(zhi)過程中硅與石(shi)英坩堝(guo)反應提高成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高(gao)純石(shi)英砂→高(gao)純石(shi)墨模具→真空(kong)裝(zhuang)料成(cheng)型→真空(kong)電弧熔制→自然冷卻(que)脫模→石(shi)英坩(gan)堝初(chu)步檢(jian)測→冷加工(gong)噴砂、切斷、倒角→石(shi)英坩(gan)堝二(er)次檢(jian)測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高(gao)壓噴淋、自動(dong)烘干→石(shi)英坩(gan)堝三次檢(jian)驗→真空(kong)包裝(zhuang)→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可在1450度以下使用，分透明和不透明兩(liang)種(zhong)。用電弧法制的半透明石英坩堝是拉(la)制大直(zhi)徑單(dan)晶(jing)硅(gui)，發展大規模集成電路必不可少的基(ji)礎(chu)材料(liao)。

當(dang)今，世界半導體工業發達已(yi)用此坩堝取(qu)代了小的透明石英坩堝。具有高純度、耐溫(wen)性強、尺寸大(da)精度高、保溫(wen)性好、節(jie)約(yue)能源、質量穩定(ding)等優點(dian)。

　　2、不(bu)能和HF接觸(chu)，高溫時，較容易易和苛性堿及堿金屬的碳(tan)酸鹽作用(yong)。

　　3、石英坩堝適于(yu)用K2S2O7,KHSO4作熔劑(ji)熔融樣品和用Na2S207（先在212度烘干）作熔劑(ji)處理(li)樣品。

　　4、石英質(zhi)脆，易(yi)破(po)，使(shi)用(yong)時要(yao)注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機(ji)酸可用作(zuo)清洗液(ye)。