目前石(shi)英坩堝(guo)(guo)生產涂層(ceng)技術(shu)已被大多(duo)數廠家使(shi)(shi)用就是在普通石(shi)英砂溶制(zhi)的坩堝(guo)(guo)表(biao)面(mian)涂上一層(ceng)高(gao)純度石(shi)英砂使(shi)(shi)其(qi)形成致(zhi)密層(ceng)，其(qi)致(zhi)密層(ceng)能(neng)阻止單(dan)晶硅高(gao)溫拉(la)制(zhi)過程中硅與(yu)石(shi)英坩堝(guo)(guo)反應(ying)提(ti)高(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純石(shi)(shi)(shi)英砂(sha)→高純石(shi)(shi)(shi)墨模(mo)具→真(zhen)空(kong)裝(zhuang)料(liao)成型→真(zhen)空(kong)電(dian)弧熔制→自然(ran)冷卻脫模(mo)→石(shi)(shi)(shi)英坩堝初步檢測(ce)→冷加工噴(pen)(pen)砂(sha)、切斷、倒角(jiao)→石(shi)(shi)(shi)英坩堝二次(ci)檢測(ce)→超凈清(qing)洗、超聲(sheng)、高壓噴(pen)(pen)淋、自動烘干→石(shi)(shi)(shi)英坩堝三次(ci)檢驗→真(zhen)空(kong)包裝(zhuang)→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)(shi)英坩堝可(ke)在1450度以下使用(yong)(yong)，分(fen)透(tou)明和(he)不(bu)透(tou)明兩(liang)種。用(yong)(yong)電弧法制(zhi)的半透(tou)明石(shi)(shi)英坩堝是拉制(zhi)大直徑單晶(jing)硅，發展大規模集成電路必不(bu)可(ke)少的基礎材料。

當(dang)今，世界半導體工業發達已用此坩堝取代了小的透明(ming)石(shi)英坩堝。具有高(gao)純度、耐(nai)溫(wen)性強(qiang)、尺寸大精度高(gao)、保溫(wen)性好、節(jie)約能源、質量穩定等優點。

　　2、不(bu)能和HF接觸(chu)，高溫時(shi)，較(jiao)容易易和苛性堿(jian)及堿(jian)金屬(shu)的碳(tan)酸鹽作用(yong)。

　　3、石英(ying)坩堝(guo)適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融樣品和用(yong)Na2S207（先(xian)在212度(du)烘干(gan)）作熔劑處理(li)樣品。

　　4、石英質脆(cui)，易(yi)破(po)，使(shi)用時要(yao)注意。

　　5、除HF外，普通(tong)稀無機酸可用作清(qing)洗(xi)液。