目前石(shi)英(ying)坩堝(guo)生(sheng)產涂層(ceng)技(ji)術已被大多數廠家使用就是在普通石(shi)英(ying)砂(sha)溶制的坩堝(guo)表面涂上一層(ceng)高(gao)純度石(shi)英(ying)砂(sha)使其(qi)形成致密層(ceng)，其(qi)致密層(ceng)能阻止單晶(jing)硅高(gao)溫(wen)拉制過程中(zhong)硅與石(shi)英(ying)坩堝(guo)反(fan)應(ying)提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明(ming)高(gao)(gao)純石英(ying)(ying)砂→高(gao)(gao)純石墨模(mo)具→真(zhen)空裝(zhuang)料成(cheng)型→真(zhen)空電弧(hu)熔制→自然冷(leng)卻脫模(mo)→石英(ying)(ying)坩堝(guo)初步檢測→冷(leng)加工噴(pen)砂、切斷(duan)、倒(dao)角→石英(ying)(ying)坩堝(guo)二次(ci)(ci)檢測→超凈清洗、超聲、高(gao)(gao)壓噴(pen)淋、自動烘干→石英(ying)(ying)坩堝(guo)三次(ci)(ci)檢驗→真(zhen)空包裝(zhuang)→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英(ying)坩堝(guo)可在1450度以下使用(yong)，分透(tou)明(ming)(ming)和不(bu)透(tou)明(ming)(ming)兩種(zhong)。用(yong)電弧法制(zhi)的(de)半透(tou)明(ming)(ming)石(shi)英(ying)坩堝(guo)是拉制(zhi)大(da)直徑(jing)單晶(jing)硅，發展大(da)規模集成電路(lu)必(bi)不(bu)可少的(de)基礎材(cai)料。

當(dang)今(jin)，世界(jie)半導體工(gong)業發達已用(yong)此坩堝(guo)取代了小的透明石英(ying)坩堝(guo)。具有高(gao)純度(du)、耐溫(wen)性強(qiang)、尺寸大精(jing)度(du)高(gao)、保溫(wen)性好、節約(yue)能源、質量穩定等優點(dian)。

　　2、不能和(he)HF接觸，高(gao)溫時，較容易易和(he)苛性堿及堿金屬的碳酸鹽(yan)作用(yong)。

　　3、石英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑(ji)熔融樣品和(he)用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘干）作(zuo)熔劑(ji)處理樣品。

　　4、石英質脆，易破(po)，使用時(shi)要注(zhu)意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可(ke)用作清洗液。