目(mu)前石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)生產涂層(ceng)(ceng)(ceng)技術已被大多數廠家使用就是在普通石(shi)(shi)英砂(sha)溶制(zhi)的坩(gan)堝(guo)(guo)表面涂上一層(ceng)(ceng)(ceng)高(gao)純度(du)石(shi)(shi)英砂(sha)使其形成致密層(ceng)(ceng)(ceng)，其致密層(ceng)(ceng)(ceng)能阻止(zhi)單(dan)晶硅高(gao)溫(wen)拉(la)制(zhi)過程中(zhong)硅與(yu)石(shi)(shi)英坩(gan)堝(guo)(guo)反應提高(gao)成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤(you)尼明高純石(shi)(shi)(shi)英(ying)砂(sha)→高純石(shi)(shi)(shi)墨模具→真空裝料成(cheng)(cheng)型(xing)→真空電弧(hu)熔(rong)制(zhi)→自(zi)然冷卻脫模→石(shi)(shi)(shi)英(ying)坩堝初步(bu)檢(jian)測(ce)→冷加工噴砂(sha)、切斷、倒角→石(shi)(shi)(shi)英(ying)坩堝二次(ci)檢(jian)測(ce)→超(chao)凈(jing)清洗、超(chao)聲、高壓噴淋、自(zi)動烘干→石(shi)(shi)(shi)英(ying)坩堝三次(ci)檢(jian)驗→真空包裝→成(cheng)(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝(guo)可在(zai)1450度以(yi)下使用，分(fen)透明(ming)和(he)不(bu)透明(ming)兩種。用電(dian)弧法制的(de)(de)半透明(ming)石英坩堝(guo)是拉制大(da)(da)直徑單晶(jing)硅，發展(zhan)大(da)(da)規模集成電(dian)路(lu)必(bi)不(bu)可少的(de)(de)基礎材料(liao)。

當今，世界半導(dao)體工業發達(da)已(yi)用此坩堝取代(dai)了小的透(tou)明(ming)石英坩堝。具有高(gao)純度(du)、耐溫性強、尺寸(cun)大精度(du)高(gao)、保溫性好、節約能源(yuan)、質量穩(wen)定(ding)等優點。

　　2、不能和HF接觸(chu)，高溫時，較容易(yi)易(yi)和苛性堿(jian)及堿(jian)金屬(shu)的碳酸(suan)鹽(yan)作用。

　　3、石英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融(rong)樣品和(he)用(yong)Na2S207（先在212度烘干）作熔劑處理樣品。

　　4、石(shi)英質脆，易破(po)，使用(yong)時(shi)要注意(yi)。

　　5、除HF外，普通(tong)稀無(wu)機酸(suan)可用作清洗液。