目前石(shi)英坩堝生產(chan)涂(tu)層技術已被大多數廠家(jia)使(shi)用就是在普通(tong)石(shi)英砂溶制的坩堝表面涂(tu)上一層高(gao)純度石(shi)英砂使(shi)其形成致密(mi)層，其致密(mi)層能阻止單晶(jing)硅高(gao)溫拉制過程中(zhong)硅與石(shi)英坩堝反應提高(gao)成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)(shi)英砂→高純(chun)石(shi)(shi)墨模具→真空裝料成型→真空電弧熔制→自(zi)然冷卻脫模→石(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)初(chu)步檢測(ce)→冷加(jia)工噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)二次(ci)檢測(ce)→超凈(jing)清(qing)洗、超聲、高壓噴(pen)淋、自(zi)動烘干→石(shi)(shi)英坩堝(guo)(guo)三次(ci)檢驗→真空包(bao)裝→成品入庫(ku)。

      石英坩堝用途

1、石(shi)(shi)英(ying)坩堝可在1450度(du)以下使用，分(fen)透明和不透明兩種。用電(dian)弧法制的(de)半(ban)透明石(shi)(shi)英(ying)坩堝是拉制大直徑單晶硅(gui)，發展大規(gui)模集成電(dian)路必不可少的(de)基礎材料。

當今，世界半導體工業發達已用(yong)此坩堝(guo)取代了小的透明石英坩堝(guo)。具有高純度、耐溫性強(qiang)、尺寸大(da)精度高、保溫性好(hao)、節約能源、質量穩定(ding)等優點。

　　2、不(bu)能和(he)HF接觸，高溫時(shi)，較(jiao)容易(yi)易(yi)和(he)苛(ke)性堿(jian)及堿(jian)金屬的碳(tan)酸鹽作(zuo)用。

　　3、石英坩堝適(shi)于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔劑熔融(rong)樣品和用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘干）作熔劑處理樣品。

　　4、石(shi)英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除(chu)HF外，普通稀無機酸可用作清(qing)洗液。