目前石(shi)英坩(gan)(gan)堝(guo)生產(chan)涂(tu)層(ceng)技(ji)術已被(bei)大多數廠家使用就是在普通石(shi)英砂(sha)(sha)溶制(zhi)的坩(gan)(gan)堝(guo)表(biao)面涂(tu)上一層(ceng)高純度(du)石(shi)英砂(sha)(sha)使其形成致密(mi)層(ceng)，其致密(mi)層(ceng)能阻止單(dan)晶(jing)硅(gui)(gui)高溫拉制(zhi)過程中硅(gui)(gui)與石(shi)英坩(gan)(gan)堝(guo)反應(ying)提高成晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純(chun)石(shi)英(ying)(ying)砂→高純(chun)石(shi)墨模具→真(zhen)(zhen)空裝料成(cheng)型→真(zhen)(zhen)空電弧熔制(zhi)→自然(ran)冷卻脫模→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)初步檢(jian)測(ce)→冷加工噴(pen)(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)二次檢(jian)測(ce)→超凈清(qing)洗、超聲、高壓噴(pen)(pen)淋、自動(dong)烘干→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝(guo)三次檢(jian)驗→真(zhen)(zhen)空包裝→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝可(ke)在1450度以下使用，分透明(ming)和不(bu)(bu)透明(ming)兩種。用電(dian)弧法(fa)制的(de)半(ban)透明(ming)石(shi)英坩堝是拉制大直徑單晶硅，發展大規模集成電(dian)路必不(bu)(bu)可(ke)少的(de)基礎材料。

當今(jin)，世(shi)界(jie)半導體工(gong)業發達(da)已用(yong)此坩(gan)堝取代(dai)了小的透明石(shi)英(ying)坩(gan)堝。具(ju)有高純度(du)、耐溫(wen)性強、尺寸大(da)精度(du)高、保溫(wen)性好、節約能源、質(zhi)量穩定(ding)等優點。

　　2、不能和HF接(jie)觸(chu)，高溫時，較容(rong)易(yi)易(yi)和苛性堿及堿金屬的碳(tan)酸鹽(yan)作(zuo)用。

　　3、石英(ying)坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作熔(rong)(rong)劑熔(rong)(rong)融樣(yang)品和用Na2S207（先(xian)在212度烘(hong)干(gan)）作熔(rong)(rong)劑處理樣(yang)品。

　　4、石英質脆，易破，使用時要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清(qing)洗液(ye)。