目前石(shi)英坩堝(guo)生產涂層技術已被(bei)大(da)多數廠家使(shi)用就是在普通(tong)石(shi)英砂溶(rong)制的坩堝(guo)表面(mian)涂上一(yi)層高(gao)純度(du)石(shi)英砂使(shi)其形成致密層，其致密層能(neng)阻止(zhi)單(dan)晶硅高(gao)溫拉(la)制過程中硅與石(shi)英坩堝(guo)反(fan)應提高(gao)成晶率(lv)。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明(ming)高(gao)(gao)純石(shi)英(ying)砂→高(gao)(gao)純石(shi)墨模(mo)具→真(zhen)空裝料(liao)成(cheng)型→真(zhen)空電弧熔制→自(zi)然冷卻脫模(mo)→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝初步(bu)檢測(ce)→冷加工噴(pen)砂、切斷、倒角→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝二次檢測(ce)→超凈清洗(xi)、超聲(sheng)、高(gao)(gao)壓噴(pen)淋(lin)、自(zi)動烘(hong)干→石(shi)英(ying)坩(gan)(gan)堝三次檢驗→真(zhen)空包裝→成(cheng)品入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝可在1450度(du)以下使用(yong)(yong)，分(fen)透明(ming)和不(bu)(bu)透明(ming)兩種。用(yong)(yong)電弧法制(zhi)的(de)半透明(ming)石(shi)英坩堝是拉制(zhi)大直徑單晶硅，發展(zhan)大規(gui)模集成電路(lu)必(bi)不(bu)(bu)可少的(de)基礎(chu)材(cai)料(liao)。

當今，世界半導體工業發達已用此(ci)坩(gan)堝取代了小的透(tou)明石英坩(gan)堝。具有(you)高(gao)純度(du)、耐溫性強、尺(chi)寸大精度(du)高(gao)、保溫性好、節約能源、質量(liang)穩定等(deng)優點。

　　2、不能和(he)HF接(jie)觸，高溫時，較容易易和(he)苛性堿及堿金(jin)屬的碳酸(suan)鹽作用。

　　3、石英坩(gan)堝適于用K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融樣品和用Na2S207（先在212度烘干）作(zuo)熔劑處理樣品。

　　4、石英質(zhi)脆，易破，使(shi)用時要注意。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無機(ji)酸可用作清洗(xi)液(ye)。