目前石(shi)英(ying)(ying)坩堝生(sheng)產涂層(ceng)(ceng)技術已被大多(duo)數廠家使(shi)用就是在(zai)普通石(shi)英(ying)(ying)砂溶制的坩堝表面涂上一層(ceng)(ceng)高純(chun)度石(shi)英(ying)(ying)砂使(shi)其形成致密層(ceng)(ceng)，其致密層(ceng)(ceng)能(neng)阻止單晶硅高溫拉制過程中硅與石(shi)英(ying)(ying)坩堝反(fan)應(ying)提高成晶率(lv)。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明(ming)高(gao)(gao)純石(shi)英砂→高(gao)(gao)純石(shi)墨模(mo)(mo)具→真(zhen)空(kong)裝(zhuang)料成(cheng)型→真(zhen)空(kong)電弧熔制→自然冷(leng)卻脫模(mo)(mo)→石(shi)英坩(gan)堝初(chu)步檢測→冷(leng)加(jia)工噴砂、切斷(duan)、倒角→石(shi)英坩(gan)堝二次(ci)檢測→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高(gao)(gao)壓噴淋(lin)、自動烘干(gan)→石(shi)英坩(gan)堝三(san)次(ci)檢驗→真(zhen)空(kong)包(bao)裝(zhuang)→成(cheng)品(pin)入庫。

      石英坩堝用途

1、石(shi)英坩堝(guo)可在1450度(du)以下使(shi)用，分透明和不(bu)透明兩種。用電弧法制(zhi)的半(ban)透明石(shi)英坩堝(guo)是拉(la)制(zhi)大直徑單(dan)晶硅，發展大規模集成電路(lu)必不(bu)可少的基礎(chu)材料。

當今，世界半導體工業發達已用此坩(gan)堝取代了小的透明石英坩(gan)堝。具有(you)高純度、耐溫性強、尺寸(cun)大(da)精(jing)度高、保溫性好、節約(yue)能(neng)源、質量穩定等優點。

　　2、不能和HF接觸，高溫時，較容(rong)易易和苛性(xing)堿及堿金屬的碳酸(suan)鹽(yan)作(zuo)用。

　　3、石(shi)英(ying)坩堝適(shi)于用K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融樣品和用Na2S207（先在212度烘(hong)干）作熔(rong)劑處(chu)理樣品。

　　4、石英質脆(cui)，易破，使用時要(yao)注意。

　　5、除(chu)HF外(wai)，普(pu)通稀無機酸可用(yong)作清洗液。