目前石(shi)英坩堝生產涂層(ceng)(ceng)技術已被大多數(shu)廠家(jia)使用(yong)就是在普通(tong)石(shi)英砂溶(rong)制的坩堝表(biao)面涂上一層(ceng)(ceng)高(gao)純度(du)石(shi)英砂使其形成(cheng)(cheng)致(zhi)密層(ceng)(ceng)，其致(zhi)密層(ceng)(ceng)能(neng)阻(zu)止單(dan)晶硅高(gao)溫拉制過(guo)程中(zhong)硅與石(shi)英坩堝反應提高(gao)成(cheng)(cheng)晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼(ni)明高(gao)純(chun)石(shi)(shi)英(ying)砂(sha)→高(gao)純(chun)石(shi)(shi)墨模(mo)具→真空(kong)裝料成型→真空(kong)電弧熔(rong)制→自然(ran)冷卻(que)脫模(mo)→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝初步(bu)檢(jian)測(ce)→冷加工噴砂(sha)、切斷、倒角→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝二次檢(jian)測(ce)→超凈清(qing)洗(xi)、超聲、高(gao)壓噴淋、自動烘干→石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝三次檢(jian)驗→真空(kong)包裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝(guo)可在1450度(du)以下使用，分透明(ming)和不(bu)透明(ming)兩種。用電(dian)弧法(fa)制的(de)半透明(ming)石英坩堝(guo)是拉制大直徑單晶硅，發展大規模集(ji)成電(dian)路必不(bu)可少的(de)基礎材(cai)料(liao)。

當今，世(shi)界半導體(ti)工業發達已用此坩堝取代了小(xiao)的透明石英坩堝。具有高純度、耐溫(wen)性強、尺寸大精度高、保(bao)溫(wen)性好、節約(yue)能源、質量穩定等優點。

　　2、不能和(he)HF接觸，高溫時，較容易易和(he)苛性堿及堿金屬的(de)碳酸鹽(yan)作用。

　　3、石英坩堝適于用K2S2O7,KHSO4作熔劑(ji)熔融樣(yang)品和用Na2S207（先(xian)在212度烘干）作熔劑(ji)處(chu)理樣(yang)品。

　　4、石英質(zhi)脆，易破，使用時(shi)要(yao)注意。

　　5、除HF外，普通稀(xi)無機酸可用作清(qing)洗液。