目前(qian)石(shi)英(ying)坩堝生(sheng)產涂(tu)層技術已被(bei)大多數(shu)廠家使用就(jiu)是在普通石(shi)英(ying)砂(sha)(sha)溶制的坩堝表面涂(tu)上一層高純度石(shi)英(ying)砂(sha)(sha)使其形(xing)成致密層，其致密層能阻(zu)止單晶硅高溫拉制過程中硅與石(shi)英(ying)坩堝反應提高成晶率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明(ming)高純(chun)石(shi)英(ying)(ying)砂(sha)→高純(chun)石(shi)墨模(mo)具→真空裝料成型→真空電(dian)弧熔制→自(zi)然冷卻脫模(mo)→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝初步檢測(ce)→冷加(jia)工噴砂(sha)、切(qie)斷(duan)、倒角→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝二次檢測(ce)→超(chao)凈清洗、超(chao)聲(sheng)、高壓噴淋、自(zi)動烘干→石(shi)英(ying)(ying)坩(gan)堝三次檢驗→真空包裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩堝可在1450度以下使(shi)用，分透明和(he)不(bu)透明兩種。用電(dian)弧(hu)法制的(de)半透明石英坩堝是拉制大(da)直徑單晶硅(gui)，發(fa)展(zhan)大(da)規模集成電(dian)路必不(bu)可少的(de)基(ji)礎材料(liao)。

當今，世界半導體工業發(fa)達已用此坩堝取代了(le)小(xiao)的透明石英坩堝。具有高純度、耐溫性(xing)強、尺寸大精度高、保溫性(xing)好、節約能源(yuan)、質(zhi)量(liang)穩定等優點(dian)。

　　2、不能和HF接觸(chu)，高溫(wen)時(shi)，較容易易和苛性(xing)堿及堿金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作熔(rong)劑熔(rong)融(rong)樣品(pin)和用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘干(gan)）作熔(rong)劑處理樣品(pin)。

　　4、石英質(zhi)脆(cui)，易破，使用時要(yao)注意(yi)。

　　5、除HF外，普(pu)通稀無(wu)機酸可用作清(qing)洗液。