目(mu)前石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)生產涂層(ceng)技術已(yi)被大多(duo)數廠(chang)家使(shi)用就是在(zai)普通石(shi)(shi)英(ying)砂溶(rong)制(zhi)(zhi)的坩(gan)堝(guo)表面涂上(shang)一層(ceng)高純度石(shi)(shi)英(ying)砂使(shi)其(qi)形成(cheng)致密層(ceng)，其(qi)致密層(ceng)能阻止單晶(jing)硅高溫拉制(zhi)(zhi)過程(cheng)中硅與石(shi)(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)反應提高成(cheng)晶(jing)率。

　　石英坩堝工藝流程

尤尼明高純石(shi)英(ying)砂(sha)→高純石(shi)墨(mo)模具→真空(kong)裝料成型→真空(kong)電弧熔(rong)制(zhi)→自(zi)然(ran)冷卻脫模→石(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)初步檢測(ce)→冷加(jia)工(gong)噴砂(sha)、切斷、倒角→石(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)二(er)次檢測(ce)→超(chao)凈清洗、超(chao)聲、高壓噴淋(lin)、自(zi)動烘干(gan)→石(shi)英(ying)坩(gan)堝(guo)三次檢驗(yan)→真空(kong)包裝→成品入庫。

      石英坩堝用途

1、石英坩(gan)堝(guo)可(ke)在1450度以下使用，分透(tou)明(ming)(ming)和不(bu)透(tou)明(ming)(ming)兩種。用電弧法制的半透(tou)明(ming)(ming)石英坩(gan)堝(guo)是拉制大直徑單晶硅，發展(zhan)大規模集成電路必不(bu)可(ke)少的基礎材(cai)料(liao)。

當今，世(shi)界半導(dao)體工業發達(da)已(yi)用此坩(gan)堝(guo)取代了小的透明石(shi)英坩(gan)堝(guo)。具(ju)有高純度(du)、耐溫(wen)性(xing)強、尺寸大精度(du)高、保溫(wen)性(xing)好、節約能源、質量穩定(ding)等(deng)優點(dian)。

　　2、不能和(he)HF接(jie)觸，高溫時，較(jiao)容易易和(he)苛性堿(jian)(jian)及堿(jian)(jian)金屬的碳酸鹽作用。

　　3、石英坩堝適于用(yong)K2S2O7,KHSO4作(zuo)熔劑熔融(rong)樣品(pin)和用(yong)Na2S207（先在212度(du)烘(hong)干）作(zuo)熔劑處理樣品(pin)。

　　4、石英質脆，易破(po)，使用時(shi)要注意。

　　5、除HF外，普通稀無機酸可用作清洗液(ye)。